宽禁带氮化物半导体材料

以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体是继Si和GaAs之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和电力电子器件。针对5G通讯、电源、数据中心、电动汽车等领域对大尺寸、低缺陷GaN外延材料的需求，开展SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料和Si衬底AlGaN/GaN异质结材料外延生长技术研究。

氮化镓射频微波器件

受益于氮化镓材料较高的二维电子器浓度、高迁移率和高电子饱和速度等特点，氮化镓高电子迁移率晶体管具有高输出功率密度、高效率等特性，氮化镓功率放大器在雷达、卫星、5G通信基站等方面具有广泛用途。围绕产业需求，开展大尺寸、低成本硅基氮化镓器件制备工艺、氮化镓MMIC电路设计等研究。

氮化镓电力电子器件

与传统的Si基电力电子器件相比，氮化镓电力电子器件具有高开关频率、高效率、低损耗等优点，在手机等移动电子设备充电器、白色家电电源模块、电动汽车电机系统、充电桩、光伏逆变器、电网、轨道交通牵引系统等领用中具有广阔的应用前景。围绕上述需求，开展氮化镓电力电子器件结构设计、制备工艺、驱动电路设计等研究。

氮化镓肖特基二极管

氮化镓肖特基二极管具有低开启电压、低导通电阻、高击穿电压、耐高温、抗辐射等诸多优点，在智能手机、无人机、机器人无线充电等领域具有广泛用途。基于氮化镓肖特基二极管的性能优势和应用需求，开展器件结构设计、阳极界面工程、低损伤阳极刻蚀工艺等研究。