设计平台

氮化镓器件和集成电路设计平台承担了中心氮化镓微波毫米波器件和集成电路设计的任务，满足下一代移动通信、物联网、汽车通信与防撞雷达、射频能源、军事雷达、卫星通信等领域中极宽带宽、更高频率、更大功率下工作的器件和集成电路设计需求；也承担了氮化镓电力电子器件和集成电路设计的任务，满足更高效率、更高功率和更高紧凑度的下一代电力电子器件、电源管理电路、功率转换电路和系统等设计需求。

研发实验室 

研发实验室总面积约480平方米，包含百级区域60平方米，千级区域420平方米。该制造工艺研发线拥有光刻、刻蚀、介质和金属薄膜沉积、高温退火等工艺和量测设备共计25台（套），可进行氮化镓等宽禁带半导体器件和集成电路领域前沿技术和关键工艺技术的研究、开发和验证。同时作为公共服务平台可对外提供微纳加工服务、承担企业委托的一些创新性工艺技术、新型产品的研究和开发。

中试线

中试线洁净区总面积约1000平方米，包含百级区域110平方米，千级区域760平方米和万级区域130平方米。拥有8/6英寸氮化镓材料外延、光刻、介质和金属薄膜沉积、介质和金属刻蚀、高温退火、离子注入、晶圆研磨、电镀等工艺和在线测试设备共计59台（套），可以直接进行一些8/6英寸氮化镓射频和电力电子器件产品的小批量试产。

封装平台

封装平台拥有完整的宽禁带半导体芯片封装生产设备共计30余台（套），可以实现宽禁带半导体射频器件、电力电子器件所需的QFN、陶瓷封装、金属封装等多种封装形式。该平台致力于宽禁带半导体氮化镓芯片封装工程化技术研发和产业化，建设高标准的封装技术研发及代工公共服务平台。

封装平台生产车间面积约为400平方米，从晶圆切割到成品测试都具备完整的工艺流程，可实现塑封封装、陶瓷封装、金属封装等多种封装形式产品的生产。

测试平台

测试平台拥有完整的宽禁带半导体芯片电学性质检验设备和可靠性测试设备，共计50余台（套），可以实现宽禁带半导体射频器件、电力电子器件的性能表征、失效分析、可靠性测试。 

电学测试平台承担了中试线晶圆在线测试、器件性能验证、器件可靠性分析等任务。该平台在射频器件测试方面具有高达50 GHz的射频小信号、负载牵引、射频噪声、脉冲、非线性交调失真等测试能力。在直流测试方面有高精度直流测试系统两套，均支持高低温测试与晶圆级自动测试；高压测试系统两套，最高可支持电压达3 kV。平台还设有脉冲测试系统一套，最大脉冲偏压1500 V，最小脉冲宽度为200 nS。以上测试系统均可支持小片到8寸晶圆的测试。

可靠性实验室面积约为120平方米，按照AEC-Q100的要求，配置完整的可靠性设备，满足车规级芯片的验证和射频芯片可靠性检测能力。