郝跃    首席科学家

中国科学院院士，微电子学专家，微电子学与固体电子学博士生导师。九三学社第十四届中央委员会常委和九三学社陕西省委主委、中国电子学会副理事长。“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”国家科技重大专项实施专家组组长、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、国务院第七届和八届学科评议组电子科学与技术一级学科召集人、高等院校电子信息类专业教学指导委员会主任委员、国家重大基础研究计划（973计划）项目首席科学家、陕西省科学技术协会副主席。

郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体器件和材料、新型微纳米半导体器件与材料等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓和碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波毫米波器件、半导体短波长光电材料与器件、微纳米CMOS器件新结构、新器件和可靠性失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

张进成 主任/教授

西安电子科技大学副校长，广州第三代半导体创新中心主任，二级教授，博士生导师，国家自然基金杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授长期从事氮化镓、氧化镓、金刚石等宽禁带与超宽禁带半导体高功率器件与电路研究，在高功率与低损耗新型异质结构、射频高功率器件与电路、高功率优值电力电子器件等方面取得一系列重要创新成果，发表论文100余篇，总引用超过10000次，授权发明专利100余项，出版专著3部。研究成果入选“十三五”国家科技成就展，广泛应用于北斗导航卫星、5G通信基站、舰载电子对抗等多项国家重大工程。获国家技术发明二等奖2项、何梁何利基金科学与技术创新奖1项、创新团队奖1项、省部级科学技术一等奖6项。

刘志宏 执行主任/教授

教授，广州第三代半导体创新中心执行主任，陕西省千人，新加坡南洋理工大学博士。2007年加入新加坡南洋理工大学淡马锡实验室，任职Research Associate，负责氮化镓微波器件和MMIC制造技术的研发；2011年加入新加坡-麻省理工学院联合科技中心（SMART），任职 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，负责硅基氮化镓微波/毫米波/太赫兹器件、氮化镓与硅CMOS异质集成技术、氮化镓电力电子器件等的研发。2019年全职回国加入西安电子科技大学，任职教授、博士生导师。IEEE高级会员。研究方向为GaN等宽禁带半导体器件物理、制造技术、表征建模与集成电路。

李祥东   副主任/教授

教授，博士生导师，广州第三代半导体创新中心副主任，国家级青年人才，省级高层次引进人才，国家重点研发计划课题负责人。2020年获比利时鲁汶大学欧洲微电子中心IMEC博士学位，拥有多年第三代半导体GaN功率芯片研发经验，深度参与了IMEC全球首家商用级8英寸GaN量产技术开发，支持全球多家企业实现GaN芯片量产，产值超数十亿元。带领团队成功建成我国顶尖的第三代半导体8英寸中试线，已成功开发多款GaN功率芯片。相继开展 GaN 相关的基础理论、材料生长和表征、器件设计和制造技术、器件可靠性、以及单片集成技术的研究，解决了8英寸硅基GaN电力电子器件及其功率集成电路领域的多个关键核心难题，发表多篇IEEE高水平论文。

张苇杭   副主任/教授

教授，西安电子科技大学工学博士，广州第三代半导体创新中心副主任。从事宽禁带半导体器件与集成电路研究，主持国家自然科学基金面上项目、国家重点研发计划课题、国家科技重大专项课题、省基础与应用基础研究基金、企业技术开发项目等10余项。在IEEE EDL、IEEE TED、APL等半导体物理与器件领域主流期刊上发表SCI论文50余篇，合著专著1部，获授权国家发明专利20项，研究成果多次被国际著名半导体杂志Semiconductor Today、Compound Semiconductor报道，获得2021年度中国电子学会技术发明一等奖。

游淑珍    教授

华山特聘教授，博士生导师，国家级领军人才，比利时鲁汶大学（KU Leuven）& 欧洲微电子中心IMEC博士。2022年2月回国入职西安电子科技大学广州研究院。归国前在世界顶级微电子研究机构-比利时欧洲微电子中心（IMEC）工作15年并担任氮化镓(GaN)器件研发组组长，与其团队攻克了氮化镓(GaN)电力电子技术的诸多世界性瓶颈难题并于2018年发布首个工业级可靠的增强型p-GaN栅横向晶体管，建立了全球首个8英寸直径的硅基氮化镓(GaN-on-Si)CMOS工艺兼容的GaN器件制造工艺与平台，建立了全球首个8英寸、CMOS工艺兼容SOI基氮化镓(GaN-on-SOI)集成电路制造工艺平台和设计平台，研发成果均实现了产业化。2020年至2025年连续六年担任半导体领域知名国际会议IEEE 国际可靠性物理研讨会IRPS技术委员会委员。

刘先河    教授

华山特聘教授，博士生导师，国家级青年人才，加拿大麦吉尔大学博士，美国密歇根大学博士后，拥有10年的氮化镓基光电子学研究经验，2021年获国家自然科学基金优秀青年基金项目（海外），研究方向包括GaN基材料外延生长、微纳结构加工工艺、微纳光电和电子器件以及器件模拟仿真等。曾参与多个美国国家科学基金、加拿大自然科学与工程研究理事会、韩国三星集团、美国NS Nanotech Inc.公司等机构资助的科研项目，针对紫外激光、p型掺杂导电、高性能发光等重要难题做了大量的前沿性探究。目前在Nature Nanotechnology、Photonics Research、Progress in Quantum Electronics、Applied Physics Letters和Optics Express 等高水平期刊发表40余篇学术论文并被引用1300余次，被诺贝尔奖获得者和国内外7位院士引用和积极评价，多次在国际学术会议获墙报奖和论文奖，研究成果被半导体工业界杂志Semiconductor Today及Compound Semiconductor数次报道。

邢伟川    副教授

华山菁英副教授，硕士生导师，新加坡南洋理工大学博士，广东省级青年人才。师从NTU的 Ng Geok Ing教授和MIT的 IEEE fellow、美国总统奖获得者Tomás Palacios教授拥有近10年氮化镓射频器件研究经验和4年先进硅集成电路工艺开发经验。2021年回国前任职于UMC新加坡分公司，作为团队骨干参与图像传感器等产品的开发。主要研究领域为氮化镓射频器件与集成。主要成果如创造当年截止频率世界纪录的硅基氮化镓晶体管、创新性设计及业内首发平面纳米带沟道高线性度氮化镓晶体管等。其成果有力证明了低成本高性能的硅基氮化镓射频器件的应用前景并发表于IEEE Electron Device Letters等知名期刊上，且被广泛认可和引用。

冯欣    副教授

副教授，硕士生导师，师从中国科学院院士郝跃教授，拥有宽禁带半导体材料及器件研究经验；主要从事宽禁带半导体材料与器件生长制备，表征与应用方面的研究工作；已发表学术论文二十余篇，申请国内外专利二十项；主持国家自然科学基金青年项目，广东省和广州市自然科学基金青年项目等项目5项；曾获得陕西省优博，陕西高等学校科学技术研究优秀成果一等奖，西安电子科技大学博士生校长奖、博士研究生国家奖学金、国睿奖学金、多项学术会议优秀海报奖和报告奖、研究生创芯大赛全国奖等。

侯松岩    讲师

华山菁英教授，新加坡南洋理工大学博士，主要从事高性能薄膜铌酸锂光电子器件集成的机理及应用研究，发表学术论文16篇，总引用约599次。其中以第一、共一或通讯作者身份发表高水平期刊论文9篇，包括ACS Photonics、Optics Letters、Applied Physics Letters、Advanced Optical Materials等，入选过ACS Photonics封面期刊。研究成果被Phys.org、nanoWerk等多家国内外媒体深度报道。多次参加在日本、美国、新加坡、捷克等国家举办的国际学术会议，受邀担任国际电磁学会议PIERS2023、META2024分会场主席。先后主持中国博士后科学基金面上资助项目、国家自然科学基金青年项目和海外博士/博士后引才专项等。获得国家留学基金委“优秀自费留学生奖学金”（2020年）、科技部“全国颠覆性技术创新大赛领域赛优秀奖”（2022年）、省级人才等荣誉和奖励。

吴银河    讲师

华山准聘副教授，硕士生导师，华山产业学者，从事GaN功率器件与集成电路研究十余年，主持国家资助博士后研究人员计划项目、博士后面上基金项目，作为项目组核心成员参与过多项国家重大专项和重点研发计划，在GaN材料和功率器件研究领域积累了大量经验。申请发明专利十余项，在发表IEEE Electron Device Letters、Transactions on Electron Devices等半导体物理与器件权威期刊上发表SCI论文十余篇，并多次受邀在ICNS等国际顶级学术会议上做口头报告。相关研究成果在创“芯”大赛中分别获得国家一等奖和二等奖各一次。

董鹏飞 助理研究员

助理研究员，西安电子科技大学博士，研究方向为超宽禁带半导体氧化镓材料及功率电子器件，国际上首次将氧化镓二极管击穿电压突破6 kV、8 kV，器件功率优值突破GaN及SiC一维物理极限，并且首次提取出氧化镓中空穴寿命，研究成果为氧化镓功率二极管的快速发展与实用化扫清多项核心关键技术障碍。已在IEEE EDL、IEEE TED及Nature Communications等业内顶级期刊发表多篇文章，以第一发明人申请专利十余项，研究成果近五年被剑桥大学、欧洲微电子研究中心、欧洲核子研究中心等单位引用300多次，促进了本领域基础研究和应用技术的发展。