中心杜航海博士在第14届国际氮化物半导体会议上荣获最佳学生奖

第14届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors）于2023年11月12日至17日在日本福冈市（Fukuoka）举行。宽禁带半导体国家工程研究中心、宽禁带半导体器件与集成全国重点实验室郝跃院士团队的多位教授、副教授和博士研究生参加了本届会议。

本届会议上，郝跃院士团队共有7篇口头报告、26篇海报报告发表，2项研究工作荣获Best Student Award（最佳学生奖）。其中我中心张进成教授和刘志宏教授指导的杜航海博士的研究工作“High-Linearity Planar-Nano-Channel AlN/GaN-on-Si MISHEMTs with AM-PM Distortion Suppression”经过严格的同行专家评议后荣获最佳学生奖。该研究工作开发了一种平面纳米沟道AlN/GaN异质结结构硅基GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管技术，成功提升了毫米波GaN晶体管的线性度性能，实现了高OIP3/Pdc指标和高AM-PM指标。会议期间，我校师生与国内外同行进行了深入的交流和探讨，对实验室和课题组相关研究进行了积极宣传，相关研究成果也吸引了与会专家学者的广泛关注，同时给予了充分肯定和高度评价。

据悉，国际氮化物半导体会议（ICNS）是氮化物半导体领域著名国际学术会议，会议内容涉及氮化物半导体材料与器件的最新进展和研究动态，每两年举办一次，自第一届在日本召开以来，举办地点在亚洲、欧洲、美国之间轮替，会议为世界各地的学者提供了一个良好的交流、互动的学术平台。本届会议共有1240余名来自世界各国的氮化物半导体领域的知名专家和学者参加了交流和讨论，包含424场大会口头学术报告和407个大会海报报告，涵盖氮化物半导体“材料生长”、“电子器件”、“光学器件”和“基础物理”等多个主题的研讨，会议集中就氮化物材料中的重要物理机制、材料生长及缺陷控制技术、氮化物器件性能提高面临的主要技术障碍和未来发展趋势等进行了深入讨论。