省发展改革委创新和高技术处莅临创新中心调研

12月14日，广东省发展和改革委员会创新和高技术处处长易佳、副处长谢健标等一行莅临广州第三代半导体创新中心就平台建设进展、科技成果转化情况开展调研。创新中心执行主任刘志宏、副主任张苇杭等参与调研。

易佳一行参观了创新中心科技展厅、研发实验室和中试线，听取了创新中心关于团队建设、研发实验室和中试线建设进展等情况的介绍，深入了解了目前国内和国外宽禁带半导体产业的发展现状、我中心目前取得的阶段性成果、中试线运行情况、遇到的技术难题以及未来的发展规划。易佳对我中心建设工作给予充分肯定，他指出，要积极推进技术研发和产业化，加大科技创新投入力度，面对目前的国内外形势，抢抓机遇，推动宽禁带半导体产业和上下游产业链的发展。