研发实验室薄膜区设备：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统

设备编号：PED01

设备名称：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统

设备型号：SENTECH Depolab 200

主要功能：主要用于沉积生长 SiO₂ 、SiN_x绝缘介质薄膜。

技术指标：

1）样品尺寸：8” 晶圆及以下；

2）沉积介质薄膜材料种类：SiO₂、SiN等；

3）温度：最高350℃；

4）射频功率：最高600 W，13.56MHz；

5）气体种类：SiH₄、N₂O、NH₃、N₂、CF₄、O₂；

6）SiNx应力：-200 Mpa-200 Mpa  ；

7）折射率：SiO₂ 1.45-1.5； SiN_x 1.9-2.1；

8)   均匀性：≤±5%；

9）加工能力：2” 16pcs/炉；3”4pcs/炉；4”4pcs/炉；6”1pcs/炉；8”1pcs/炉。