研发实验室薄膜区设备：原子逐层淀积（ALD）系统

设备编号：ALD01

设备名称：原子逐层淀积（ALD）系统

设备型号：SENTECH SI

主要功能：用于Al₂O₃、HfO₂、AlN等氧化物和氮化物薄膜的生长，以用于器件中介质膜、导电膜、光学膜、钝化层、黏附层、缓冲层以及其他功能层。

技术指标：

1）样品尺寸：8”晶圆及以下；

2）沉积介质薄膜种类：Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、SiO₂、SiN、AlN、TiN等；

3）温度：常规温度段：150℃~380℃；低温段：<150℃；高温段：380~450℃；

4）功能模块：等离子体、热氧化；

5）源配置：铝（TMA）、铪（TDMAHf）、硅、锆、钛；

6）气路配置：PN₂、O₂、NH₃、H₂、Ar、 H₂O；

7）成膜均匀性：≤2%。